QLC 和 TLC

TLC全称是苹果Level Cell，进一步提升了存储密度，或最每个存储单元可以存储3bit的早于e中信息
。

TLC NAND 的使用D闪成本甚至比 MLC NAND 更低，这使其成为消费电子产品和主流 SS暗区突围开科器D 的存存储上暗区突围免root直装辅助器理想选择 。

QLC的苹果暗区突围准心辅助器全称是Quad-level cells，每个cell可以存储4bit的或最数据，相比TLC ，早于e中QLC的使用D闪存储密度提升了33% 。

QLC NAND 通常用于入门级消费级 SSD 和大容量存暗区突围开科器储应用。存存储上QLC NAND 的苹果耐久性最低，通常 P/E 周期 (擦除周期) 在 100 到 1000 之间 。或最

制造商实施先进的早于e中暗区突围准心怎么调出来纠错机制、OP（ Over）和Wear来保持可靠性
 。使用D闪

虽然 QLC NAND 可暗区突围开科器能不适合写入密集型工作负载 ，存存储上但它为日常使用提供了充足的存储容量，使更广泛的暗区突围准心精灵用户可以使用 SSD。

据报道 ，苹果正在推广 QLC NAND

最早泄露的信息称 ，苹果规划在14系列上采用QLC NAND ，IT之暗区突围开科器家今年1月度就报道称，暗区突围准星苹果或许会在16 Pro系列上采用QLC NAND。

估计 ，苹果正在加速向QLC NAND的过渡，从而将内置存储的暗区突围辅助瞄准上限提升到2TB。

不过需要注意的是，虽然QLC的密度比TLC高，但暗区突围开科器速度却比后者慢；而且由于单个单元中单元数量更多，因此它们的暗区突围cj耐久性较低，这意味着它们能处理的写入周期比TLC少 。

认识大语言模型

苹果还在探索如何使用 NAND 闪存而不是 RAM 来存储大型语言模型 (L暗区突围开科器LM) ，从而能够在本地运行更多的 AI 任务，因此过渡到 QLC NAND 可以协助提升苹果的暗区突围正式性能。

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